LUGANO – Samsung Electronics e Advanced Micro Devices (AMD) hanno annunciato la firma di un memorandum d’intesa volto a consolidare la cooperazione sulle memorie avanzate per infrastrutture di intelligenza artificiale. L’accordo prevede la fornitura da parte di Samsung della nuova generazione di memoria ad alta banda (HBM4) destinata agli acceleratori AMD Instinct MI455X, insieme a soluzioni DDR5 ottimizzate per i futuri processori EPYC. Le due aziende hanno inoltre confermato di esplorare una possibile collaborazione anche nell’ambito della fonderia, con l’obiettivo di rafforzare la competitività nelle tecnologie AI di prossima generazione.
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